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12-22

2023
IGBT的载流子限制效应

IGBT的工艺节点,也就是业内常说的工艺pitch,已经缩小到了1.6um,甚至1.2um。但是目前对于关注静态损耗的场合,仍然可以做到2.4um平台达到1.6um平台差不多的效果。或者说,使用同一工艺平台,不同设计所表现出来的静态损耗水平仍然有明显的差别。 这其中很重要的一个原因是载流子限制效应。 正面沟道注入电子,... 【查看更多】

11-30

2023
美浦森上海分公司喜迁新址

美浦森上海分公司喜迁新址热烈祝贺美浦森上海分公司2023年11月28日乔迁至上海市浦东新区秀浦路创研智造E12栋103室。全体员工已于今日全部搬迁至新办公区办公。此次乔迁不仅给员工创造了良好的工作环境,同时也扩充了上海应用实验室,新增多台设备,有效支持公司的产品研发和客户服务。在公司乔迁之际,衷心感谢长期以来给予公司大... 【查看更多】

09-22

2023
热烈祝贺美浦森半导体苏州研发中心成立

9月6日,深圳市美浦森半导体有限公司苏州研发中心正式成立。研发中心位于苏州工业园区酝慧路168号星洲大厦703。 (首席科学家滕渊博士、研发总监王海强先生和供应链总监杨勇先生出席揭幕仪式)苏州研发中... 【查看更多】